IRF7351TRPBF vs FDS6575 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7351TRPBF por Infineon y FDS6575 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7351TRPBF FDS6575
Marca Infineon onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Single MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A -10 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) PowerTrench (rugged gate)
Encapsulado 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount SOIC-8 (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
Estado RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tensión umbral de puerta — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

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