IRF7351TRPBF vs FDS6575 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7351TRPBF por Infineon e FDS6575 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7351TRPBF FDS6575
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Single MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A -10 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) PowerTrench (rugged gate)
Encapsulamento 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount SOIC-8 (SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
Status RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação