IRF7351TRPBF vs FDS6575 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7351TRPBF par Infineon et FDS6575 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7351TRPBF FDS6575
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Single MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A -10 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) PowerTrench (rugged gate)
Boîtier 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount SOIC-8 (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

Fiches techniques et ressources

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