IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB7534PBF por Infineon y IRFS7530TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,85 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Encapsulado TO-220AB —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
Estado RoHS Compliant (PbF suffix) —
Nivel MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

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