IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFB7534PBF 제조: Infineon 및 IRFS7530TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFB7534PBF | IRFS7530TRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFB7534PBF | IRFS7530TRLPBF |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 195 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 294 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| 패키지 | TO-220AB | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS 상태 | Compliant (PbF suffix) | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (unlimited floor life) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 2 mΩ |
| Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: typical gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 375 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (Gate, Drain tab, Source) |
| Series | — | StrongIRFET™ |