IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFB7534PBF von Infineon und IRFS7530TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Gehäuse TO-220AB —
Montageart Through Hole Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS-Status Compliant (PbF suffix) —
MSL-Level MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

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