IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFB7534PBF メーカー: Infineon および IRFS7530TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
パッケージ TO-220AB —
実装タイプ Through Hole Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS ステータス Compliant (PbF suffix) —
MSLレベル MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
パッケージ / ケース — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

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