IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB7534PBF por Infineon e IRFS7530TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Encapsulamento TO-220AB —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
Status RoHS Compliant (PbF suffix) —
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

Fichas técnicas e recursos

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