IRFB7534PBF vs IRFS7530TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB7534PBF par Infineon et IRFS7530TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7534PBF IRFS7530TRLPBF
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Boîtier TO-220AB —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
Statut RoHS Compliant (PbF suffix) —
Niveau MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Boîtier / Format — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

Fiches techniques et ressources

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