IRFP260MPBF vs STW45NM50 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFP260MPBF por Infineon y STW45NM50 por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFP260MPBF STW45NM50
Marca Infineon STMicroelectronics
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,85 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 500 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55°C to +150°C
Encapsulado / Carcasa TO-247AC (3-lead through-hole) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Nivel MSL Not Applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Encapsulado — TO-247
Sin halógenos — Yes

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