IRFP260MPBF vs STW45NM50 比較

詳細な並列比較: IRFP260MPBF メーカー: Infineon および STW45NM50 メーカー: STMicroelectronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFP260MPBF STW45NM50
ブランド Infineon STMicroelectronics
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.85 $9.55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 500 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
動作温度範囲 -55C to +175C -55°C to +150°C
パッケージ / ケース TO-247AC (3-lead through-hole) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
MSLレベル Not Applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
パッケージ — TO-247
ハロゲンフリー — Yes

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