IRFP260MPBF vs STW45NM50 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP260MPBF par Infineon et STW45NM50 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP260MPBF STW45NM50
Marque Infineon STMicroelectronics
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,85 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 500 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55°C to +150°C
Boîtier / Format TO-247AC (3-lead through-hole) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Niveau MSL Not Applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Boîtier — TO-247
Sans halogène — Yes

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