IRFP260MPBF vs STW45NM50 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFP260MPBF 제조: Infineon 및 STW45NM50 제조: STMicroelectronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFP260MPBF | STW45NM50 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | STMicroelectronics |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.85 | $9.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 500 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 40 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance Ciss | 1560 pF | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| 패키지 / 케이스 | TO-247AC (3-lead through-hole) | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Through Hole |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| MSL 레벨 | Not Applicable (through-hole) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 30 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.09 ohm |
| Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 1.2 J |
| Power Dissipation (PD) | — | 450 W |
| 패키지 | — | TO-247 |
| 할로겐 프리 | — | Yes |