IRFP260MPBF vs STW45NM50 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP260MPBF por Infineon e STW45NM50 por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP260MPBF STW45NM50
Marca Infineon STMicroelectronics
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,85 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 500 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55°C to +150°C
Encapsulamento / Caixa TO-247AC (3-lead through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Nível MSL Not Applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Encapsulamento — TO-247
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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