K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G085WD-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,58 | $2,05 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Velocidad de datos | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interfaz | Parallel | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |