K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $2,05 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |