K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ 生産中
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K4A4G085WD-BCTD K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.58 $2.05
Memory Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
メモリタイプ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM
データレート 2400 Mb/s (PC2400) 2666 Mbps/pin
電源電圧 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 (TFBGA) 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
インターフェース Parallel DDR4 (JEDEC-compatible)
Access Mode Multi-bank page burst —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Die Generation — D-die
Density — 4 Gb
動作温度 — 0C to +85C
Ball Pitch — 0.8 mm
Speed Class — DDR4-2666 (PC4-21300)
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes

データシート&リソース

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