K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WD-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ АктивенSamsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,58 | $2,05 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Скорость передачи данных | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Интерфейс | Parallel | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| Рабочая температура | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |