K4A8G085WB-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCWE por Samsung Electronics y H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $12,30 | $2,25 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Classification | B-die | — |
| Interfaz | DDR4 (SSTL12) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh support |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |