K4A8G085WB-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCWE par Samsung Electronics et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,30 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Classification | B-die | — |
| Interface | DDR4 (SSTL12) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh support |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |