K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCWE MT40A512M16LY-075:E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,55 $5,80
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organización de memoria 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps 2666 MT/s
Tensión de alimentación 1.2 V —
Access Time (CAS Latency) 19 ns —
Interfaz Parallel Parallel
Encapsulado 96FBGA 96-FBGA (7.5x13.5mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C —
Burst Length 8 —
Bank Group Architecture Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes, dynamic ODT with ZQ calibration —
Functions Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask —
Estado RoHS Compliant —
Lead Free Yes —
Tamaño de memoria — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1.33 GHz
Latencia CAS — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Rango de temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

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