K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $5,80 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| CAS-Latenz | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |