K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics e MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoMicron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,55 | $5,80 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Encapsulamento | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Latência CAS | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |