K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics et MT40A512M16LY-075:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WB-BCWE MT40A512M16LY-075:E
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,55 $5,80
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps 2666 MT/s
Tension d'alimentation 1.2 V —
Access Time (CAS Latency) 19 ns —
Interface Parallel Parallel
Boîtier 96FBGA 96-FBGA (7.5x13.5mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +85C —
Burst Length 8 —
Bank Group Architecture Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes, dynamic ODT with ZQ calibration —
Functions Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask —
Statut RoHS Compliant —
Lead Free Yes —
Taille de mémoire — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1.33 GHz
Latence CAS — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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