K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A512M16LY-075:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.55 | $5.80 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| パッケージ | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| CASレイテンシ | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |