K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics y MT40A1G8WE-075E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,22 | $11,90 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |