K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A1G8WE-075E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.22 | $11.90 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| インターフェース | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 96 | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |