K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics et MT40A1G8WE-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,22 | $11,90 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| Interface | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |