K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics e MT40A1G8WE-075E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,22 | $11,90 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| Interface | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 96 | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| Status RoHS | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |