K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics y H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $23,00 | $2,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 78-ball FBGA |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8 |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Características | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Estado RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |