K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G8NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $23.00 | $2.40 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 78-ball FBGA |
| 인터페이스 | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8 |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| 특징 | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| RoHS 상태 | — | Lead-Free & Halogen-Free |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |