K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCRC от Samsung Electronics и H5AN8G8NCJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $23,00 | $2,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (case) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 78-ball FBGA |
| Интерфейс | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8 |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Размер памяти | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Особенности | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Статус RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |