K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $23.00 | $2.40 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| データレート | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (case) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 78-ball FBGA |
| インターフェース | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8 |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| 特長 | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| RoHS ステータス | — | Lead-Free & Halogen-Free |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |