K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646E-BMK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $16,08 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |