K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646E-BMK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMMA от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BMK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $16,08 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Корпус | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |