K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646E-BMK0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $16,08 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulamento | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |