MBRS260T3G vs SRVBS260NT3G Comparación

Comparación detallada lado a lado de MBRS260T3G por onsemi y SRVBS260NT3G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro MBRS260T3G SRVBS260NT3G
Marca onsemi onsemi
Categoría Diodes Diodes
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,11
Diode Type Schottky Power Rectifier (single) —
Encapsulado SMB (DO-214AA-style surface mount) SMB (surface mount, C-bend leads)
DC Reverse Voltage (Vr) Max 60 V —
Average Rectified Forward Current (Io) 2 A —
Forward Voltage (Vf) Max @ If 630 mV @ 2 A —
Peak Non-Repetitive Surge Current (Ifsm) 25 A (8.3 ms half-sine, per datasheet) —
Reverse Recovery Time (trr) Negligible (Schottky, minority-carrier device) —
Temperatura de unión de funcionamiento -65C to +150C —
Storage Temperature -65C to +150C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Polarity Color band indicates cathode —
Nivel MSL 1 per JEDEC J-STD-020 —
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Primary Applications Low-voltage high-frequency switching PSUs, free-wheeling, polarity protection —
Manufacturer — onsemi
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

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