MBRS260T3G vs SRVBS260NT3G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MBRS260T3G por onsemi e SRVBS260NT3G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro MBRS260T3G SRVBS260NT3G
Marca onsemi onsemi
Categoria Diodes Diodes
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,11
Diode Type Schottky Power Rectifier (single) —
Encapsulamento SMB (DO-214AA-style surface mount) SMB (surface mount, C-bend leads)
DC Reverse Voltage (Vr) Max 60 V —
Average Rectified Forward Current (Io) 2 A —
Forward Voltage (Vf) Max @ If 630 mV @ 2 A —
Peak Non-Repetitive Surge Current (Ifsm) 25 A (8.3 ms half-sine, per datasheet) —
Reverse Recovery Time (trr) Negligible (Schottky, minority-carrier device) —
Temperatura de junção de operação -65C to +150C —
Storage Temperature -65C to +150C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Polarity Color band indicates cathode —
Nível MSL 1 per JEDEC J-STD-020 —
Status RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Primary Applications Low-voltage high-frequency switching PSUs, free-wheeling, polarity protection —
Manufacturer — onsemi
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Fichas técnicas e recursos

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