MBRS260T3G vs SRVBS260NT3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MBRS260T3G par onsemi et SRVBS260NT3G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MBRS260T3G SRVBS260NT3G
Marque onsemi onsemi
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,11
Diode Type Schottky Power Rectifier (single) —
Boîtier SMB (DO-214AA-style surface mount) SMB (surface mount, C-bend leads)
DC Reverse Voltage (Vr) Max 60 V —
Average Rectified Forward Current (Io) 2 A —
Forward Voltage (Vf) Max @ If 630 mV @ 2 A —
Peak Non-Repetitive Surge Current (Ifsm) 25 A (8.3 ms half-sine, per datasheet) —
Reverse Recovery Time (trr) Negligible (Schottky, minority-carrier device) —
Température de jonction en fonctionnement -65C to +150C —
Storage Temperature -65C to +150C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Polarity Color band indicates cathode —
Niveau MSL 1 per JEDEC J-STD-020 —
Statut RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Primary Applications Low-voltage high-frequency switching PSUs, free-wheeling, polarity protection —
Manufacturer — onsemi
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Fiches techniques et ressources

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