MRF6V2300NR1 vs MRF6V2300NR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF6V2300NR1 por NXP Semiconductors y MRF6V2300NR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF6V2300NR5 MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $107,50 $118,80
Tipo de transistor RF Power MOSFET (LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral) LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral
Drain-Source Voltage (Vdss) 110 V —
Continuous Drain Current (Id) 2.5 mA DC bias reference —
Output Power (Pout) 300 W CW —
Test Frequency 220 MHz 220 MHz
Power Gain 25.5 dB —
Operating Frequency Range 10 MHz to 600 MHz —
Drain Bias Voltage 50 V —
Mode of Operation CW (continuous wave), Class AB —
Package Type TO-270 WB-4 (ceramic, flanged, single-ended) —
Input Matching Unmatched Unmatched (external matching required)
Output Matching Unmatched —
Technology Lateral MOSFET (LDMOS-like) Lateral Double-Diffused MOS (LDMOS)
Tipo de montaje Surface / flange-mount with screws Chassis / Heatsink Mount
Estado RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction/case temperature range] —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated — 110 V
Typical Operating Drain Voltage — 50 V
Frequency Range — 10 MHz to 600 MHz
Typical Output Power (CW) — 300 W
Typical Power Gain — 25.5 dB at 220 MHz
Drain Current (Id) — 900 mA (DC bias)
Encapsulado — TO-270 WB-4 (ceramic, air-cavity, bolt-down)
Operating Mode — CW large-signal / driver
Application — Industrial, medical, scientific RF power

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