MRF6V2300NR1 vs MRF6V2300NR5 比較

詳細な並列比較: MRF6V2300NR1 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6V2300NR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6V2300NR5 MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $107.50 $118.80
トランジスタタイプ RF Power MOSFET (LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral) LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral
Drain-Source Voltage (Vdss) 110 V —
Continuous Drain Current (Id) 2.5 mA DC bias reference —
Output Power (Pout) 300 W CW —
Test Frequency 220 MHz 220 MHz
Power Gain 25.5 dB —
Operating Frequency Range 10 MHz to 600 MHz —
Drain Bias Voltage 50 V —
Mode of Operation CW (continuous wave), Class AB —
Package Type TO-270 WB-4 (ceramic, flanged, single-ended) —
Input Matching Unmatched Unmatched (external matching required)
Output Matching Unmatched —
Technology Lateral MOSFET (LDMOS-like) Lateral Double-Diffused MOS (LDMOS)
実装タイプ Surface / flange-mount with screws Chassis / Heatsink Mount
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
動作温度 [DATA_NEEDED: junction/case temperature range] —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated — 110 V
Typical Operating Drain Voltage — 50 V
Frequency Range — 10 MHz to 600 MHz
Typical Output Power (CW) — 300 W
Typical Power Gain — 25.5 dB at 220 MHz
Drain Current (Id) — 900 mA (DC bias)
パッケージ — TO-270 WB-4 (ceramic, air-cavity, bolt-down)
Operating Mode — CW large-signal / driver
Application — Industrial, medical, scientific RF power

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