MRF6V2300NR1 vs MRF6V2300NR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF6V2300NR1 par NXP Semiconductors et MRF6V2300NR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 - 300W, 50V RF Power MOSFET 10-600 MHz | NXP

MRF6V2300NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF6V2300NR5 MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 - 300W RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 50V | NXP

MRF6V2300NR5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $107,50 $118,80
Type de transistor RF Power MOSFET (LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral) LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral
Drain-Source Voltage (Vdss) 110 V —
Continuous Drain Current (Id) 2.5 mA DC bias reference —
Output Power (Pout) 300 W CW —
Test Frequency 220 MHz 220 MHz
Power Gain 25.5 dB —
Operating Frequency Range 10 MHz to 600 MHz —
Drain Bias Voltage 50 V —
Mode of Operation CW (continuous wave), Class AB —
Package Type TO-270 WB-4 (ceramic, flanged, single-ended) —
Input Matching Unmatched Unmatched (external matching required)
Output Matching Unmatched —
Technology Lateral MOSFET (LDMOS-like) Lateral Double-Diffused MOS (LDMOS)
Type de montage Surface / flange-mount with screws Chassis / Heatsink Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction/case temperature range] —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated — 110 V
Typical Operating Drain Voltage — 50 V
Frequency Range — 10 MHz to 600 MHz
Typical Output Power (CW) — 300 W
Typical Power Gain — 25.5 dB at 220 MHz
Drain Current (Id) — 900 mA (DC bias)
Boîtier — TO-270 WB-4 (ceramic, air-cavity, bolt-down)
Operating Mode — CW large-signal / driver
Application — Industrial, medical, scientific RF power

Fiches techniques et ressources

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