MRFG35003NR5 vs MRFG35010NR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFG35003NR5 por NXP Semiconductors y MRFG35010NR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFG35003NR5 MRFG35010NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $10,95 $9,60
Tipo de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz (test) 3.55 GHz
Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Drain-Source Rated Voltage 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Test Drain Voltage 12 V —
Test Drain Current 55 mA —
Power Gain (typ) 11.5 dB @ 3.55 GHz —
Output Power 3 W —
Encapsulado / Carcasa PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down) PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Tipo de montaje Chassis / flange mount with screws Surface Mount
Configuration Single, unmatched die Single, unmatched
Operating Class Class AB linear —
Lead Free Status Lead-free (per NXP product page) [DATA_NEEDED: lead free status]
Packaging Tape & Reel (R5 suffix) —
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Current Rating — 2.9 A
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: rohs status]

Hojas de datos y recursos

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