MRFG35003NR5 vs MRFG35010NR5 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MRFG35003NR5 por NXP Semiconductors e MRFG35010NR5 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro MRFG35003NR5 MRFG35010NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Obsolete Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $10,95 $9,60
Tipo de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz (test) 3.55 GHz
Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Drain-Source Rated Voltage 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Test Drain Voltage 12 V —
Test Drain Current 55 mA —
Power Gain (typ) 11.5 dB @ 3.55 GHz —
Output Power 3 W —
Encapsulamento / Caixa PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down) PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Tipo de montagem Chassis / flange mount with screws Surface Mount
Configuration Single, unmatched die Single, unmatched
Operating Class Class AB linear —
Lead Free Status Lead-free (per NXP product page) [DATA_NEEDED: lead free status]
Packaging Tape & Reel (R5 suffix) —
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Current Rating — 2.9 A
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
Status RoHS — [DATA_NEEDED: rohs status]

Fichas técnicas e recursos

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