MRFG35003NR5 vs MRFG35010NR5 비교

다음의 상세 나란히 비교: MRFG35003NR5 제조: NXP Semiconductors 및 MRFG35010NR5 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

사양 비교

파라미터 MRFG35003NR5 MRFG35010NR5
브랜드 NXP Semiconductors NXP Semiconductors
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 Obsolete Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $10.95 $9.60
트랜지스터 유형 pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz (test) 3.55 GHz
Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Drain-Source Rated Voltage 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Test Drain Voltage 12 V —
Test Drain Current 55 mA —
Power Gain (typ) 11.5 dB @ 3.55 GHz —
Output Power 3 W —
패키지 / 케이스 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down) PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
실장 유형 Chassis / flange mount with screws Surface Mount
Configuration Single, unmatched die Single, unmatched
Operating Class Class AB linear —
Lead Free Status Lead-free (per NXP product page) [DATA_NEEDED: lead free status]
Packaging Tape & Reel (R5 suffix) —
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Current Rating — 2.9 A
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: rohs status]

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