MRFG35003NR5 vs MRFG35010NR5 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRFG35003NR5 от NXP Semiconductors и MRFG35010NR5 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRFG35003NR5 MRFG35010NR5
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $10,95 $9,60
Тип транзистора pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz (test) 3.55 GHz
Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Drain-Source Rated Voltage 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Test Drain Voltage 12 V —
Test Drain Current 55 mA —
Power Gain (typ) 11.5 dB @ 3.55 GHz —
Output Power 3 W —
Корпус / Типоразмер PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down) PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Тип монтажа Chassis / flange mount with screws Surface Mount
Configuration Single, unmatched die Single, unmatched
Operating Class Class AB linear —
Lead Free Status Lead-free (per NXP product page) [DATA_NEEDED: lead free status]
Packaging Tape & Reel (R5 suffix) —
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Current Rating — 2.9 A
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: rohs status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену