MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A256M16GE-083E por Micron Technology y H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,20 | $8,09 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.6 GHz |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| Sin halógenos | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |
| Estado RoHS | — | Compliant |