MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC 比較

詳細な並列比較: MT40A256M16GE-083E メーカー: Micron Technology および H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E ✗ 生産終了
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A256M16GE-083E H5AN4G6NBJR-UHC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 製造終了 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $8.09
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1.6 GHz
電源電圧 1.2 V —
パッケージ 96-ball FBGA, 9 x 14 mm FBGA-96 (PBGA-96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel —
Technology CMOS DRAM CMOS
ECCN EAR99 —
Country of Origin China —
ハロゲンフリー Compliant —
Lead Free Yes —
Introduction Date August 2017 —
Lifecycle Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
メモリサイズ — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼