MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A256M16GE-083E от Micron Technology и H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,20 | $8,09 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.6 GHz |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| Без галогенов | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |
| Статус RoHS | — | Compliant |