MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16GE-083E 제조: Micron Technology 및 H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 단종사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.20 | $8.09 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.6 GHz |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA-96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |